[李国辉] 姓名得分：87.7         查看更多测试结果

[李国辉] 介绍：

女，1940年9月出生，河北省丰润县人。教授，1964年毕业于北京师范大学物理系，并开始在北京师范大学物理系和低能核物理所从事半导体物理和离子注入及半导体器件物理的研究及教育工作。现兼任中国电子学会集成电路学会三束学组委员。从事半导体物理和离子注入及半导体器件物理的研究及教学工作。在硅和砷化镓离子注入和光电器件方面有精深研究。其中"硼砷离子注入"、"大规模集成电路离子注入浅结工艺"、"白光快速退火技术"分别获北京市科技成果二、三等奖。1987年主持科工委的"新器件研究"中的部分任务，1991年主持了国家863项目"1~1.65umPTPT光电探测器"。以上二项通过了部级鉴定。1995年"用高能注入实现SI/n+埋层"获国家专利。1997年主持研究国家基金委和北京市基金委的关于特殊结构光电探测器方面的任务二项。多年来培养硕士生10多名，协助博导培养博士生3名。主要著述：发表论文《形成优质SI